경제/부동산
2009. 2. 8. 11:32
한국의 반도체는 역시 최강이였다. 하이닉스반도체가 세계 최초로 44나노 공정 기술을 적용해 1기가비트(Gb) DDR3 D램을 개발했다. 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품으로 모듈 제품의 인증을 위한 실험도 조만간 인텔에 의해 진행될 예정이다.
개발품은 현재 양산중인 54나노 공정 대비 약 50% 이상 생산성이 향상된 제품으로, ‘3차원 트랜지스터 기술’로 누설 전류를 제어해 전력 소비를 최소화 하면서도 업계 최고 수준의 동작속도를 확보한것으로 알려졌다.
향후 수요가 급증할 것으로 기대되는 DDR3 시장에서 경쟁사 대비 한 세대 앞선 공정기술을 적용한 차별화된 제품으로 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대된다.
44나노 공정 기술을 적용해 1기가비트(Gb) DDR3 D랩은 2009년 하반기 이후 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3에 주로 적용될 것으로 전망된다.
